薄膜トランジスタ
薄膜トランジスタ（はくまくトランジスタ、thin film transistor、TFT） は、電界効果トランジスタ（field effect transistor、以下FET）の1種である。基本的に三端子素子（バックゲート端子（B）が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si) を用いるものには、アモルファス膜と多結晶膜とがあり、アモルファス膜は1979年に英国ダンディ大学で開発され、その後日本を中心にLCD用に活発に研究開発が進んだ。アモルファスSiと多結晶SiのTFTは、カラーTFT LCDとして広く応用されている。 現在 最も多くのPCで使われている液晶で、携帯電話でも普及してきているが若干、高価である。
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スタガード型はドレインとソース端子がチャネル層とずれた軸に追加されている。コープレーナー型はドレインとソース端子がチャネル層の横に直接ついている。インバーテッド型はゲート端子がサブストレート側についている。
通常の金属酸化膜半導体 (MOS) と異なり、反転層を形成せずに蓄積層を形成してコンダクタンスを上げる、すなわちn型のキャリアは電子、p型のキャリアはホールであることも特徴である。下の素子の構成を見れば一目瞭然だが、そのため通常のMOS構造には見られないチャネル層が加えられている。